Intel presenta una nueva tecnología que ofrecerá un 37% más de velocidad y la mitad de consumo eléctrico
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Una ilustración de un transistor de 32 nanómetros (izquierda) comparado con uno de 22, que ya incorpora 3D. |
El cofundador de Intel, Gordon Moore, puede respirar tranquilo. La
ley que lleva su apellido y que enunció en 1965 seguirá vigente gracias a
una nueva generación de chips creados con estructuras tridimensionales.
La Ley de Moore afirma que la densidad de los transistores de un chip
se duplica aproximadamente cada 18 meses, aumentando sus prestaciones y
reduciendo los costes. Y así ha sido hasta la fecha, pero la continua
aparición de dispositivos cada vez más pequeños, y a los que los
usuarios piden más potencia y menor consumo, ha obligado a los
ingenieros a pensar en una forma alternativa de transistor. Intel, el
mayor fabricante de chips del mundo, ha anunciado esta semana que
iniciará la producción en masa de transistores en 3D en lugar de los bidimensionales que se utilizan hoy.
Un
transistor es básicamente un interruptor que está encendido o apagado,
ya que toda la información que procesa es binaria. "El gran invento
fueron los transistores integrados en silicio, que permiten realizar
funciones más complejas. A partir de ahí, el esfuerzo ha sido hacer que
esos ladrillos con los que se contruye el microprocesador sean
cada vez más pequeños y que puedan encenderse y apagarse más rápido, a
la vez que consumen menos", resume el director de tecnología de Intel,
Antonino Albarrán.
Intel ha tardado nueve años en poner a punto esta tecnología
Intel
ya anunció en 2002 que el siguiente salto en los transistores tendría
que venir de la mano del 3D. Pero entonces la compañía no era capaz de
fabricarlos. Nueve años después ha presentado Tri-Gate,unos conductores
tridimensionales que se alzan en vertical desde el sustrato de silicio
con el que se fabrica la oblea que los integra. La compañía compara el nuevo diseño con la construcción de rascacielos en urbanismo.
"Estos edificios permiten optimizar el espacio disponible con la
construcción en altura, y la estructura de los transistores 3D ofrecen
un medio para optimizar la densidad", explica Intel en un comunicado.
El control de la corriente se realiza implementando puertas
que son en realidad in-terruptores en cada uno de los tres lados
expuestos a la conducción en lugar de una única puerta en la parte
superior, como sucedía con los transistores en 2D. "Cuando ahora se
fabrica una oblea de silicio, la superficie es plana y la corriente pasa
por una estructura de transistores en 2D con una dimensión de 32
nanómetros. El año que viene, se pasará a los 22 nanómetros y en esta
tecnología se van a incluir los transistores 3D", aclara Albarrán. Un
milímetro equivale a un millón de nanómetros. Los ingenieros de Intel ya
han anunciado que el tamaño de los elementos de cada transistor podría reducirse hasta los 10 nanómetros en el año 2015.
Albarrán
destaca que la estructura 3D tiene beneficios directos para el usuario.
"A la hora de integrarlo en los diferentes dispositivos ofrece un 37%
más de velocidad, o bien la mitad de consumo energético". Para
comercializarlos, la compañía apostará por la velocidad en ordenadores
domésticos y servidores, dejando para móviles y portátiles ultrafinos la
reducción del consumo, para aumentar la vida de la batería o seguir
reduciendo el tamaño de los dispositivos.
Estos transistores permiten que se siga cumpliendo la Ley de Moore
Con
la producción de esta tecnología, Intel pretende recuperar el terreno
perdido en teléfonos móviles y tabletas ya que, mientras sigue dominando
en ordenadores domésticos, portátiles y servidores, pequeños fabricantes se han hecho con el mercado móvil.
Sus competidores dudan, no obstante, de que la compañía sea capaz de
mantener una reducción de consumo energético suficiente como para que
sus chips resulten atractivos para el mercado de móviles y tabletas.
Apple, por ejemplo, utiliza microprocesadores de Intel para sus
ordenadores y portátiles, pero para el iPhoney el iPad optó por la
competencia.
Intel empezará a producir ordenadores de sobremesa,
portátiles y servidores con transistores 3D antes de final de este año y
los primeros equipos empezarán a venderse a principios de 2012. El
precio de los nuevos procesadores, aún sin determinar, no tiene por qué
ser muy superior al de los que se venden ahora. "En el coste de
fabricación de las obleas de 30 centímetros influye la tasa de error de
los transistores y ser capaz de incluir un mayor número de ellos. Aunque
esta tecnología tiene también un coste de desarrollo, se está pasando
de 32 a 22 nanómetros y, por tanto, esto abarataría el coste", señala
Albarrán.
El transistor más pequeño del mundo
1. Tamaño
El tamaño es lo que más ha cambiado en el mundo de los procesadores.
El primer transistor, la pieza básica de los microprocesadores, que se
construyó en los laboratorios Bell en 1947, era tan grande que sus
piezas tenían que unirse con las dos manos. El último, de tan sólo 22
nanómetros, es tan pequeño que en la cabeza de un alfiler (con un
diámetro de 1,5 milímetros) caben más de cien millones.
2. Rapidez
El
microprocesador de 22 nanómetros de Intel es 4.000 veces más rápido,
usa 5.000 veces menos energía y es 50.000 veces más barato que el primer
modelo de microprocesador de la compañía, el 4004, de 1971.